意甲竞猜首页:富士通将推55nm工艺碳纳米管内存:比闪存快一千倍

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作为曝光率最低的纳米技术之一,什么东西只要跟碳纳米管沾边立刻就变得矮小上了。日本富士通公司日前宣告与美国Mantero公司达成协议合作协议,双方将联合前进碳纳米管内存(NRAM)研发、生产,这种内存的速度堪称是普通存储器的1000倍,预计2018年底月发售产品,制程工艺是55nm的。    在纳米技术研究领域,碳纳米管(也叫富勒烯,全称CNT)是一种很独有的材料,直径只有人类头发的5万分之一,能导电导电,硬度是钢铁的50倍,话说小编学生时代就常常听见以碳纳米管为基础的各种高科技,还包括各种神器的电池。在存储领域,碳纳米管通过硅基沉底也能构建0、1变化,因此也可以存储芯片,而且所谓不易失性的,断电也会清理数据。

    NRAM存储的优势  比起普通存储器,NRAM存储芯片的优势过于多了,读取速度是普通存储器的1000倍(Nanteo官网上说道是1000倍,图表上是100倍),同时功耗更加较低,可靠性、耐用性更加强劲,成本更加较低。  Nantero这次与富士通合作,后者将把NRAM内存统合到自家芯片中,预计2018年底发售,制程工艺为55nm。  不过话说回来,NRAM还是新技术,Nantero公司从2006年就说道生产碳纳米管内存了,但是仍然没什么进展。

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即便是跟富士通达成协议合作了,量产的NRAM芯片还是256Gb(32MB)大小的,容量还是太小了,只合适一些嵌入式领域。:意甲竞猜首页。

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